وابستگی انرژی گذارهای اپتیکی در نانوساختارهای چاههای کوانتومی gan/algan به پهنای سد و چاه کوانتومی

Authors

حمید هراتی زاده

h. haratizadeh physics department, shahrood university of technology, 3619995161, p.o. box 316, shahrood, iranدانشکده فیزیک دانشگاه، صنعتی شاهرود، بلوار دانشگاه 3619995161، شاهرود، ایران مرتضی اسمعیلی

m. esmaeili physics department, shahrood university of technology, 3619995161, p.o. box 316, shahrood, iranدانشکده فیزیک دانشگاه، صنعتی شاهرود، بلوار دانشگاه 3619995161، شاهرود، ایران پر اولاف هولتز

p. o. holtz department of physics and measurements technology, linkoping university, s- 581 83 linkoping, swedenانستیتوی فیزیک و تکنولوژی سنجش دانشگاه لینشوپینگ 58183، لینشوپینگ، سوئد

abstract

در این مقاله اثر پهنای سد و پهنای چاه کوانتومی gan/algan بر روی انرژی گذارهای اپتیکی و طیف فتولومینسانس آنها با استفاده از تکنیک فتولومینسانس مورد بررسی قرار گرفته است. مطالعه طیف فتولومینسانس این چاه های کوانتومی در دماهای پایین نشان می دهد که نحوه تغییرات انرژی گذار اپتیکی بر حسب پهنای سد در ساختارهای کوانتومی gan/algan بر خلاف آنچه که در سایر نیمرساناها از قبیل آلیاژهای gaas مشاهده شده, می باشد و با کاهش پهنای سد در این نوع چاه های کوانتومی جابه جایی به سمت انرژی های بیشتر در قله طیف فتولومینسانس دیده می شود که علت آن با یک بحث نظری توضیح داده شده است. نحوه تغییرات انرژی گذارهای اپتیکی بر حسب پهنای چاه در چاه های کوانتومی چندگانه gan/algan به صورت تئوری محاسبه شده و نشان داده شده است که با نتایج تجربی به خوبی همخوانی دارد. همچنین در این کار نشان داده ایم که پهنای چاه کوانتومی در میزان همپوشانی فضایی توابع موج الکترون و حفره و استتار کردن میدان های قطبشی داخلی اثر مستقیم دارد.

Upgrade to premium to download articles

Sign up to access the full text

Already have an account?login

similar resources

وابستگی انرژی گذارهای اپتیکی در نانوساختارهای چاههای کوانتومی GaN/AlGaN به پهنای سد و چاه کوانتومی

Internal polarizations field which take place in quantum structures of group-III nitrides have an important consequence on their optical properties. Optical properties of wurtzite AlGaN/GaN quantum well (QW) structures grown by MBE and MOCVD on c-plane sapphire substrates have been investigated by means of photoluminescence (PL) and time resolved photoluminescence (TRPL) at low-temperature. PL ...

full text

و چاه کوانتومی چندتائی InxGa1-xN بررسی مدهای اپتیکی آلیاژ در ناحیه فروسرخ دور In0.5Ga0.5N/GaN

Optical properties of InxGa1-xN alloy and In0.5Ga0.5N/GaN multi quantum wells have been investigated in the region of far infrared. Far-IR reflectivity spectra of In0.5Ga0.5N/GaN multi quantum wells on GaAs substrate have been obtained by oblique incidence p- and s-polarization light using effective medium approximation. The spectra and the dielectric functions response give a good informa...

full text

ذره در چاه کوانتومی با دیواره متحرک

We study the problem of a quantum particle in an infinite one dimensional potential well with a moving wall. Based on the effective Hamiltonian approach and using the gauge transformation concepts, we show that the effect of the moving wall appears as an extra phase factor in the wave function which depends on the velocity of the wall. 

full text

بهینه سازی بهره اپتیکی در لایه های نازک دیودهای لیزری چاه کوانتومی

Advanced diode laser consists of a two dimensional thin layer which is about 10 nanometers size. Optical gain of thin layers has a great deal of importance in light amplification. Thin layers cause a modification in conduction and valance bands of bulk materials. · Subbands have been computed through effective mass equations. As a result of this method, particular effective masses are avai...

full text

بررسی رفتار دمایی طیف گسیلی چاه های کوانتومی آلایش یافته با کمک مدل lse

تغییرات دمایی انرژی قله طیف گسیلی چاه کوانتومی بدون آلایش نیمرسانای نیتروژندار دارای جابه جایی قرمز- آبی– قرمز متوالی (رفتار s گونه) می باشد که این امر به جایگزیدگی اکسیتون ها در افت و خیزهای پتانسیل درچاه کوانتومی و یا فصل مشترک چاه و سد نسبت داده می شود. میزان آلایش سیلیکونی در سد، روی تغییرات دمایی انرژی قله طیف گسیلی (رفتار s گونه)، پهنای طیف اپتیکی گسیلی (fwhm) و همچنین انرژی گسیلی کل در ط...

full text

مطالعه اثر برهمکنشهای کوتاه برد الکترونی و پهنای چاه کوانتومی بر تابع دی الکتریک نانو لایه های نیمرسانا

در این مقاله، با استفاده از تابع تصحیح میدان موضعی هابارد وهمچنین تابع ساختار، به بررسی اثر برهمکنشهای کوتاه برد الکترونی و پهنای چاه کوانتومی بر رفتار تابع دی الکتریک سیستم گاز الکترون دوبعدی در حالات دمای صفر و دمای محدود می پردازیم. برای چگالی های الکترونی پائین تقریب فاز تصادفی معتبر نبوده و لازم است اثرات کوتاه برد از طریق تصحیح هابارد وارد محاسبات شود. نشان خواهیم داد که با وجودی که رفتار...

full text

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023